HBM混合键合凉了！三星、SK海力士急刹车：HBM4用不上 HBM5也悬

短期内混合键合不会大规模部署，混合键合凉K海

混合键合技术在下一代HBM上的力士全面应用可能比预期进一步延迟。两家公司正重新评估采用混合键合的急刹时机，

SK海力士则推出iHBM技术，用不也悬导热硅冷却元件嵌入D2D PHY层，混合键合凉K海据报道，力士

7月6日消息，急刹

业内判断，用不也悬现有TC热压合工艺将因凸点横向扩散而难以支撑，混合键合凉K海

目前客户和内存制造商并未积极讨论16层HBM的力士问题。但中长期当I/O密度再次爆炸时仍是急刹发展方向。厚度标准松动后，用不也悬届时必须采用混合键合以实现更高密度连接。混合键合凉K海三星开发了HPB热通道模块，力士这进一步延缓了混合键合的急刹规模化部署。无需使用凸点，在封装内部加入独立热柱，

混合键合技术直接连接DRAM芯片间的铜线，

16层以上高堆叠产品的需求并不紧迫，行业分析师指出，即使到HBM5也可能暂不采用。

而HBM3E标准厚度为720微米，不过混合键合的研发并未停滞。当前HBM4的I/O数量已翻倍至2048个。两家公司计划从HBM5开始应用各自方案。有助于减小HBM厚度并改善散热。即使到HBM4E阶段，将电绝缘、称可较现有产品降低超过30%热阻。可从堆叠内部带走热量。12层产品仍极有可能被用作主流产品。三星电子与SK海力士在引入混合键合技术，

若未来HBM5E阶段I/O进一步翻倍至4096个，以实现下一代高带宽存储器方面正面临日益严峻的挑战。然而，

散热问题也有了更简单的替代方案。HBM4已放宽至775微米。混合键合的无凸点减薄优势不再紧迫。