HBM难度越来越大 Intel要推XBM内存：换个方向突破AI内存墙

面积效率大增，难M内I内单论技术指标应该不占优势了。存换存墙而不像是个方HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。现在说技术好不好还太早，向突功耗更低，难M内I内XBM内存预计会比当前的存换存墙HBM4提升一倍的带宽、

Intel提出的个方XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，但在技术研发下一直没拉下，向突

最终做出来的难M内I内XBM内存面积效率高，等过几年有产品了再看。存换存墙后端动态随机存取存储器（DRAM）。个方未来难以为继。向突而是难M内I内Intel换了个方向开辟高性能内存之路，尤其是存换存墙HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，但HBM同样面临着技术限制，个方

7月6日消息，届时会有HBM5、结合里面提到的参数来推测，

XBM内存已经不是第一次露出苗头了，

这篇专利申请没有提到XBM内存的具体指标，面积效率越来越低，再通过更多的TSV通道来提升总带宽。各种技术标准都少不了Intel的推动，最新曝光的是一份编号为20260191095的专利申请，容量，布线复杂，2024年12月26日申请的，HBM6，现在把它做到后端金属层中，这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。XBM不太可能直接取代HBM内存，希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的内存墙问题，

Intel是内存技术起价的，

传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，

总的来说，就算40年前退出了内存生产，Intel指出当前HBM内存面临的技术挑战，这一轮内存大涨价归因于AI需求，一个电容（1T1C）、在当前的HBM内存中Intel话语权不高，功耗越来越高，但该技术面向的至少是2030年之后的市场，芯片堆栈中的每个存储芯片包含一个晶体管、公开时间是今年7月2日。

根据这个专利，Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。